작성일 : 24-03-24 23:40
SK하이닉스, 5세대 HBM 세계 최초 대량 양산…엔비디아에 납품 시작
 글쓴이 : 행복이 (49.♡.68.172)
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SK하이닉스가 메모리 반도체 업계에서 가장 먼저 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E D램을 인공지능(AI) 반도체 ‘큰손’ 엔비디아에 납품한다. 차세대 HBM 주도권을 둘러싼 양산 경쟁이 본격화하는 모양새다.
SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다. SK하이닉스 제품은 엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 것으로 보인다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다. 방대한 데이터를 신속하고 인스타그램 팔로워 구매 끊임없이 처리해야 하는 생성형 AI를 구동하려면 HBM과 같은 고성능 메모리가 반드시 필요하다. 5세대 HBM인 HBM3E는 현재 양산되는 D램 중 가장 성능이 우수하다.
SK하이닉스는 HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 인스타그램 팔로워 구매 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다며 HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어가겠다고 밝혔다.
앞서 미국 마이크론이 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 GPU에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 발표한 바 있다. 하지만 실제 HBM3E 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 처음이다. HBM3 시장의 90% 이상을 점유한 SK하이닉스는 지난 1월 차세대인 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작하고 고객 인증 등을 준비해왔다.
SK하이닉스가 이번에 선보인 HBM3E는 초당 최대 1.18테라바이트(TB)의 데이터를 처리한다. 이는 풀HD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 신제품에 ‘어드밴스드 MR-MUF 공정’을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대보다 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보조제를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.
업체들은 개발·양산 시기, 적층 수준, 적용 기술 면에서 자사의 우수성을 강조하며 주도권을 다투고 있다. HBM 경쟁에서 SK하이닉스에 뒤졌다는 평가를 받는 삼성전자도 지난달 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 HBM3E 개발에 성공했다고 발표하며 한 발 치고 나갔다. 올해 상반기 중 양산할 계획이다. SK하이닉스도 고객 일정에 맞춰 12단 HBM3E 제품화를 진행 중이다.
SK하이닉스와 삼성전자는 18일(현지시간) 미국에서 열린 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에서 나란히 전시관을 마련하고 12단 HBM3E 실물을 공개했다.
한편 삼성전자는 이날 범용인공지능(AGI) 컴퓨팅랩을 만들어 인간지능에 가까운 AGI 전용 반도체 개발에 나선다는 소식을 알렸다. 경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)은 링크드인에 글을 올려 AGI의 길을 열기 위해 미국과 한국에서 삼성전자 반도체 AGI 컴퓨팅랩을 신설하게 돼 기쁘다며 미래 AGI의 인스타그램 팔로워 구매 엄청난 처리 수요를 충족하기 위해 특별히 설계된 완전히 새로운 유형의 반도체를 만들기 위해 노력할 것이라고 말했다.